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      IGBT

      絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)

      技術簡介

      IGBT是一種新型電力半導體器件的平臺性器件,具有高輸入阻抗,低導通壓降,驅動電路簡單,開關速度快,電流密度大等優點。

      中芯集成電路制造(紹興)有限公司是中芯國際的合資公司。IGBT平臺從2015年開始建立,著眼于最新一代場截止型(Field Stop)IGBT結構,采用業界最先進及主流的背面加工工藝,包括Taiko背面減薄工藝、濕法刻蝕工藝、離子注入、背面激光退火及背面金屬沉積工藝等。已完成整套深溝槽(Deep Trench)+薄片(Thin Wafer)+場截止(Field-Stop)技術工藝的自主研發,并相應推出600V~1200V等器件工藝,技術參數可達到業界領先水平。

      特點

      應用產品

      可廣泛應用于工業變頻、白色家電、軌道交通、電動汽車、智能電網、風力發電和太陽能等行業。

      • 工業變頻

      • 白色家電

      • 軌道交通

      • 電動汽車

      • 智能電網

      • 電力發電

      • 太陽能

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