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      40納米

      40納米

      技術簡介

      中芯國際是中國大陸第一家提供40納米技術的晶圓廠。40納米標準邏輯制程提供低漏電(LL)器件平臺,核心組件電壓1.1V,涵蓋三種不同閾值電壓,以及輸入/輸出組件 2.5V電壓(超載 3.3V,低載 1.8V)以滿足不同的設計要求。40納米邏輯制程結合了先進的浸入式光刻技術,應力技術,超淺結技術以及低介電常數介質。

      特點

      工藝組件選擇

      標準工藝組件選擇

      40納米低漏電器件(1.1V)

      核心器件

      高閾值電壓

      標準閾值電壓

      低閾值電壓

      輸入輸出器件

      2.5V

      2.5V 超載 3.3V

      2.5V 低載 1.8V

      內存

      單端高密度靜態存儲器(0.242μ㎡)

      單端高性能靜態存儲器(0.303μ㎡)

      雙端高密度靜態存儲器(0.477μ㎡)

      雙端高性能靜態存儲器(0.600μ㎡)

      應用產品

      中芯國際40納米標準邏輯制程實現了高性能和低功耗的完美融合,適用于場景廣泛,如:手機基帶及應用處理器,平板電腦多媒體應用處理器,數字電視,機頂盒,游戲及其他無線互聯應用,正在研發的可工作在0.9v電壓下的40納米超低功耗產品更是為IoT應用場景量身打造。

      • 手機基帶
        及應用處理器

      • 平板電腦多媒體
        應用處理器

      • 數字電視

      • 機頂盒

      • 游戲及其他
        無線互聯應用

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