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      65納米/55納米

      65納米/55納米

      技術簡介

      中芯國際65納米/55納米邏輯技術具有高性能,節能的優勢,可以增加先進技術成本的優化及設計成功的可能性。此65納米/55納米技術的工藝元件選擇包含低漏電和超低功耗技術平臺。此兩種技術平臺都提供三種閾值電壓的元件以及輸入/輸出電壓為1.8V,2.5V和3.3V的元件,而形成一個彈性的制程設計平臺。此技術的設計規則、規格及SPICE模型已完備。55納米低漏電/超低功耗技術和65納米低漏電技術重要的單元庫已完備。

      特點

       

      55/65納米工藝組件選擇:

      標準工藝組件選擇

      55 納米低漏電器件

      65 納米低漏電器件

      核心器件

      (1.2V)

      ULL

      HVt

      SVt

      LVt

       

       

      輸入輸出器件

      1.8V

      2.5V

      3.3V

      2.5V 超載 3.3V

      2.5V 低載 1.8V

       

      內存

      單端高密度靜態內存

      單端高性能靜態內存

      雙端高密度靜態內存

      雙端高性能靜態內存

      0.425μ㎡

      0.502μ㎡

      0.789μ㎡

      0.938μ㎡

      0.525μ㎡

      0.620μ㎡

      0.974μ㎡

      1.158μ㎡

       

      應用產品

      中芯國際55納米邏輯產品主要面向高性能、低功耗的應用場景,如移動應用和無線應用。

      • 移動應用

      • 無線應用

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